Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S1T0, 1 To, M.2, 7150 Mo/s
| Date | Prix |
|---|---|
| 23 juillet 2026 | 799 DT |
| 30 juillet 2026 | 799 DT |
| 6 août 2026 | 799 DT |
| 13 août 2026 | 799 DT |
| 20 août 2026 | 799 DT |
| 27 août 2026 | 799 DT |
| 3 septembre 2026 | 799 DT |
| 10 septembre 2026 | 799 DT |
| 17 septembre 2026 | 799 DT |
| 24 septembre 2026 | 799 DT |
| 30 septembre 2026 | 899 DT |
| 7 octobre 2026 | 899 DT |
| 14 octobre 2026 | 899 DT |
| 21 octobre 2026 | 899 DT |
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Information produit
Samsung MZ-V9S1T0, 1 To, M.2, 7150 Mo/s
Produit
- Nom
- Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
- Catégorie
- Disques SSD
- Marque
- Samsung
Poids et dimensions
- Largeur
- 80,2 mm
- Profondeur
- 2,38 mm
- Hauteur
- 22,1 mm
- Poids
- 9 g
Conditions environnementales
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
Caractéristiques
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1 To
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Interface
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Oui
- Type de mémoire
- V-NAND TLC
- composant pour
- PC
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Version NVMe
- 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Taille du SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture
- 7150 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 6300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB)
- 850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1350000 IOPS
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Support TRIM
- Oui
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
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